常圧CVD装置 TMC-8000シリーズ
概略装置説明及び仕様
モノシランと酸素の熱化学反応を利用しSiO2膜を成膜する常圧CVD装置です。
| 仕様 | |
|---|---|
| 膜種 | NSG, BSG, PSG, BPSG |
| Gas | 350℃ – 450℃ |
| 対応基板 | 4インチ – 8インチ (Si,薄Si, GaAs, SiC) |
| 装置寸法 | |
|---|---|
| １リアクタータイプ | W 900mm x D 2040mm x H 2250mm |
| ２リアクタータイプ | W 1500mm xD 2500mm xH 2250mm |
特長
・パーティクル低減
搬送及び成膜時にはウエハーがフェースダウンに保たれており、パーティクルの発生が極めて少ない。
・バラエティーのある膜形成
SiH4,PH3,B2H6/-O2 CVD反応なのでGasを切り替えることにより、NSG, PSG, BSG, BPSG膜の成膜が可能。
・積層膜の形成
成膜時Gas種を切り替えることでNSG/PSG/ BPSG等の積層成膜が可能。
＊特殊な基板にも対応いたします。お問い合わせください